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NWES

11

2024

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05

科普分享|高科技小工具背后的科學:探索晶圓制造的藝術

作者:


來源The Science Behind High-Tech Gadgets: Exploring the Art of Wafer Fabrication | SemiconSociety Blogs

你有沒有想過高性能電子設備是如何制造的?答案就在晶圓制造工藝中。這個復雜的過程涉及使用硅、外延層、光刻膠以及金屬和介電薄膜等材料來制造微芯片和其他半導體器件。

在本文中,我們將探討晶圓制造的目的、使用的材料、涉及的步驟以及不同類型的晶圓制造工藝。讓我們潛入并揭開晶圓制造的迷人世界!

關鍵要點:

  • 晶圓制造過程涉及制造一片薄薄的半導體材料,通常是硅,以生產微芯片和其他電子元件。
  • 晶圓制造工藝的目的是制造可用于各種電子設備的精確且實用的微芯片。
  • 晶圓制造過程中使用的一些材料包括硅、外延層、光刻膠以及金屬和介電薄膜。

什么是晶圓制造工藝?

晶圓制造過程涉及在硅晶圓上制造半導體電路,這是生產電子設備中使用的各種電氣結構的關鍵步驟。

該過程在潔凈室中進行,該潔凈室專門設計用于保持受控環境,沒有可能破壞電路創建的精細過程的污染物。潔凈室配備了先進的空氣過濾系統,人員必須穿著專門的服裝,以防止任何顆粒污染。光掩模生產等專用工具用于將復雜的電路圖案轉移到硅晶圓上,確保最終產品的高精度和高質量。

晶圓制造工藝的目的是什么?

晶圓制造工藝的主要目的是通過使用電路設計軟件和SPICE仿真的精確設計實現來制造半導體芯片。

利用電路布局程序在優化整體芯片設計方面起著至關重要的作用,可實現復雜而高效的配置,從而提高性能。這些軟件工具使工程師能夠繪制芯片內錯綜復雜的路徑和連接,確保功能正常并最大限度地減少信號干擾。緊跟晶圓廠設備的市場趨勢對于將尖端技術和工藝整合到生產線中以提高效率和成本效益至關重要。

晶圓制造過程中使用哪些材料?

在晶圓制造過程中使用了各種材料,包括用于晶圓襯底的硅、用于增強導電性的外延層、用于掩蔽的光刻膠以及用于電路互連的金屬/介電薄膜。

硅因其豐富和獨特的性能而成為晶圓生產中的關鍵元素。硅具有出色的熱穩定性,非常適合處理半導體制造過程中涉及的高溫。此外,其晶體結構允許精確控制電導率,這對于創建復雜的電路圖案至關重要。

外延層通過提高晶體質量和引入特定摻雜劑來控制電子流動,在增強半導體性能方面發揮著至關重要的作用。這些層生長在硅襯底上,以微調電導率并優化晶體管特性。

光刻膠廣泛用于晶圓上的圖案化電路。這種感光材料充當模板,定義在半導體表面蝕刻特定特征的位置。它在將電路設計轉移到晶圓上時提供了高分辨率和精度。

金屬和介電薄膜對于在半導體器件內建立高效的電氣連接至關重要。金屬薄膜用作導電通路,而介電薄膜則絕緣并保護電路免受干擾和漏電。這些薄膜共同實現了整個集成電路中信號和功率的精確傳輸。

晶圓制造工藝的步驟是什么?

晶圓制造過程包括幾個連續步驟,從晶圓制備開始,然后是清潔、用于圖案轉移的光刻、用于去除材料的蝕刻、新層的沉積、用于摻雜的離子注入、用于結構穩定性的退火,最后用于產品保護的封裝。

  1. 晶圓制備需要精心處理,以避免對表面造成任何污染或損壞。
  2. 清潔工作經過精確處理,以去除任何可能影響后續工藝的雜質。
  3. 光刻利用先進的技術將電路圖案精確地轉移到晶圓上。
  4. 蝕刻是小心的,以精確地去除材料的特定區域。
  5. 離子注入對于改變晶圓的電性能至關重要。
  6. 退火對于提高材料完整性和減少缺陷至關重要。
  7. 包裝是最后一步,在運輸和使用過程中保護精密的半導體器件。

晶圓制造工藝有哪些不同類型?

晶圓制造工藝有多種類型,包括批量微加工、表面微加工和 LIGA 工藝,每種工藝都提供獨特的電路創建方法。

批量微加工涉及選擇性地蝕刻材料以直接在晶圓基板上創建結構,使其成為制造傳感器、加速度計和執行器的理想選擇。

另一方面,表面微加工在晶圓表面構建材料層以創建復雜的設計,通常用于射頻 MEMS 器件和微流體系統。

LIGA工藝代表光刻、電鍍和成型,能夠精確控制高縱橫比微觀結構的制造,滿足光子學、生物技術和微電子領域的應用。

硅在晶圓制造中起著至關重要的作用,是半導體電路的基板材料。

硅晶圓的一個關鍵特性是其高導電性,使它們能夠有效地通過電路傳輸電流。這些晶圓還以其耐用性和耐高溫能力而聞名,使其在電子應用中非常可靠。

外延層

外延層在晶圓制造中至關重要,可提高半導體芯片和電氣結構的導電性和性能。

這些層通過為其他半導體材料的生長提供原始晶體結構,在高性能半導體器件的生產中起著至關重要的作用。通過仔細控制沉積過程,外延層可以精確定制材料特性,確保最佳的載流子遷移率并減少電子散射。這種定制對于在晶體管、二極管和其他電子元件中實現所需的電氣特性至關重要。外延層還有助于最大限度地減少缺陷并提高半導體制造工藝的整體良率。

光刻

光刻膠用于晶圓制造,用于光刻工藝和光掩模生產過程中的掩模圖案。

光刻膠通過在硅晶圓上創建復雜的電路圖案,在半導體制造中起著至關重要的作用。在光刻過程中,將一層薄薄的光刻膠涂在晶圓表面,并通過光掩模暴露在紫外光下。光刻膠的暴露區域變得可溶,允許選擇性去除,從而將所需的電路圖案轉移到晶圓上。這種精確的圖案化對于微芯片和其他半導體器件的生產至關重要。

金屬和介電薄膜

金屬和介電薄膜是晶圓制造過程中的關鍵組件,通過精確的設計和分層有助于電路的形成。

這些薄膜的集成對于創建互連至關重要,這些互連使電流能夠在電路的不同組件之間流動。金屬薄膜充當導體,允許電流通過,而介電薄膜充當絕緣體,防止不必要的干擾或短路。通過精心選擇和分層這些材料,電路設計人員可以提高信號傳輸效率,減少信號損耗,并改善整體電路性能。

晶圓制備

晶圓制備是晶圓制造的基礎步驟,對于確保生產過程中使用的半導體材料的質量和完整性至關重要。

正確的晶圓制備技術,如清潔和檢測,在半導體制造中起著至關重要的作用。正是這些初始步驟為整個生產過程奠定了基礎。如果不進行徹底清潔,污染物會危及最終半導體產品的性能和可靠性。細致的檢查有助于及早發現任何缺陷或缺陷,防止下游出現代價高昂的錯誤。

清洗

潔是晶圓制造中的關鍵過程,在專門的潔凈室中進行,以保持半導體材料的純度和質量。

晶圓制造涉及復雜的工藝,需要極高的精度來確保生產高質量的半導體器件。環境的清潔度至關重要,因為即使是最微小的顆粒也會破壞整個制造過程。嚴格的清潔程序可以消除污染物,例如灰塵、污垢和其他可能損害晶圓完整性的顆粒。

潔凈室在這個過程中起著至關重要的作用,它提供了一個污染物含量低的受控環境。半導體行業嚴重依賴潔凈室中嚴格的清潔標準來獲得一致和可靠的結果。

光刻

光刻是晶圓制造中的一項關鍵技術,用于將電路圖案精確地轉移到半導體芯片上。

該過程涉及使用光刻膠在硅晶圓上創建圖案,然后通過掩模將其暴露在紫外線下。暴露在光線下的區域變得可溶并被蝕刻掉,留下所需的電路圖案。

一旦圖案被轉移,像SPICE這樣的工具就會被用來模擬電路設計的行為,從而在實際制造之前進行徹底的測試和優化。

蝕刻

蝕刻是晶圓制造中的關鍵步驟,涉及選擇性地去除材料層以高精度定義電路結構。

該工藝在半導體制造中起著至關重要的作用,因為它可以創建對電子設備功能至關重要的復雜電路特征。通過精確去除特定的材料層,蝕刻可以定制電路圖案,確保最佳性能和功能。

蝕刻通常與光刻等其他工藝結合使用,以精確地圖案化晶圓表面。光刻技術定義了整體布局,而蝕刻則通過蝕刻掉不需要的材料來細化這些圖案,從而塑造集成電路的最終結構。

沉積

沉積在晶圓制造中起著至關重要的作用,可以添加新的材料層來制造具有特定電氣特性的半導體芯片。

在半導體制造中,沉積過程涉及通過化學氣相沉積 CVD) 或物理氣相沉積 (PVD) 等各種技術將材料薄層沉積到晶圓表面。此步驟至關重要,因為它可以精確控制每層的成分、厚度和性能。

沉積在分層半導體材料中的應用對于構建構成現代電子設備的復雜結構至關重要。通過仔細堆疊具有特定性能的不同材料,例如導電層、絕緣層或半導體層,制造商可以創建復雜的電路和組件。

這種細致的分層工藝通過為芯片提供必要的結構和特性,以有效地執行其預期功能,從而為晶圓制造芯片的功能做出了重大貢獻。每一層在整體設計中都有特定的用途,影響芯片的導電性、絕緣性或其他關鍵特性。

離子注入

離子注入是晶圓制造中的一項關鍵技術,用于將摻雜劑引入半導體材料中以改變其電性能和性能。

該過程涉及將離子加速到高能量并將它們引導到目標材料中,在那里它們穿透表面并產生受控的摻雜劑分布。通過仔細選擇離子的類型和劑量,制造商可以精確地改變半導體的電導率和載流子濃度,從而影響電子設備的功能。該技術允許創建具有定制電氣特性的特定區域,在優化半導體元件的性能和效率方面發揮著至關重要的作用。

退火

退火是晶圓制造中必不可少的工藝,涉及對半導體材料進行受控加熱和冷卻,以優化其結構完整性和性能。

通過退火工藝,半導體材料的晶體結構得到細化,減少了缺陷,增強了材料的電性能。這種受控的熱處理還有助于緩解材料內部的應力,從而提高材料的穩定性和耐久性。退火在激活半導體內的摻雜劑方面起著至關重要的作用,這對于產生半導體器件所需的特定電性能至關重要。

包裝

封裝是晶圓制造中關鍵的最后一步,涉及用于電子設備商業用途的半導體芯片的封裝和保護。

高效封裝在保護精密半導體芯片免受濕氣、灰塵和物理損壞等環境因素的影響方面發揮著至關重要的作用,確保其功能性和使用壽命。該封裝不僅可以屏蔽芯片,還可以促進適當的散熱、信號傳輸和電氣連接,從而增強器件內集成電路的性能。

批量微加工

批量微加工是晶圓制造中的一種專業工藝,特別適用于具有精確結構設計的微機電系統(MEMS)的開發。

批量微加工中使用的關鍵方法之一是硅襯底的各向異性蝕刻,其中以不同的速率蝕刻特定的晶體平面以創建復雜的結構。該過程允許在微觀尺度上創建復雜的圖案和形狀,從而能夠生產各種MEMS器件,例如傳感器,執行器和加速度計。

批量微加工在MEMS生產中的應用廣泛而多樣,涵蓋從醫療保健到汽車的各個行業。在醫療領域,批量微加工用于創建用于藥物輸送系統和診斷工具的生物MEMS器件。該技術提供的精度和可擴展性使其成為微納加工領域工程師和研究人員的重要工具。

曲面微加工

表面微加工是晶圓制造中使用的一種技術,用于在半導體材料表面高精度地創建復雜的電路結構。

在表面微加工過程中,在半導體材料上沉積一層犧牲層,然后沉積結構材料。接下來,使用光刻和蝕刻技術定義圖案,將結構材料塑造成所需的電路設計。然后有選擇地去除犧牲層,留下復雜的電路結構。這種方法允許創建具有復雜設計的先進電子元件,從而能夠為各種應用開發更小、更高效的設備。

LIGA流程

LIGA工藝是晶圓制造中的一種特殊方法,以其在為半導體行業應用創建微結構方面的精度而聞名。

LIGA工藝的獨特特點之一是它能夠產生具有出色尺寸精度的高縱橫比結構。這意味著可以以令人難以置信的精度制造錯綜復雜的微觀結構,從而可以創建先進的半導體元件。

這些微結構通過實現小型化和改進功能,在提高半導體器件的性能方面發揮著至關重要的作用。LIGA工藝具有高可重復性、可擴展性以及在單個晶圓上同時制造多種結構的能力等優勢。

批量微加工

批量微加工是晶圓制造中的一種專業工藝,特別適用于具有精確結構設計的微機電系統(MEMS)的開發。

該技術涉及選擇性地蝕刻晶圓的某些區域以創建復雜的微觀結構。通過利用各種蝕刻劑和掩蔽技術,制造商可以精確控制材料的去除,從而形成復雜的MEMS組件。批量微加工的應用范圍很廣,從壓力傳感器和加速度計到光學開關和微流控設備。它在微觀尺度上創建精確結構的能力徹底改變了生物技術、航空航天和電信等行業 

 

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