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24年07月08日
科普分享|氧化鎵
近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導體”材料，得到了持續關注。超寬禁帶半導體也屬于“第四代半導體”，與第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化鎵的3.39eV，更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導帶，因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。并且，在同等規格下，寬禁帶材料可以制造die size更小、功率密度更高的器件，節省配套散熱和晶圓面積，進一步降低成本。
芯聞動態|中國半導體銷售，同比大增24.2%
半導體行業協會 (SIA) 今天宣布，2024 年 5 月全球半導體行業銷售額達到 491 億美元，與 2023 年 5 月的 412 億美元相比增長 19.3%，與 2024 年 4 月的 472 億美元相比增長 4.1%。
24年07月04日
科普分享|雙重與多重圖形技術
雙重圖形技術是將193nm浸沒式光刻延伸至關鍵尺寸<=45nm的芯片制造關鍵技術。與非線性雙重曝光技術不同，雙重圖形技術不存在材料與產率方面的問題，已廣泛應用于先進半導體制造。雙重圖形技術采用不同的工藝技術，通過單次或兩次獨立曝光實現圖形轉移。該技術可以很方便地推廣到三重或四重圖形技術，但會增加成本。
24年07月03日
科普分享|低成本光刻技術之激光直寫光刻
低成本光刻主要指的是無需投影成像的光刻技術，如掩模接近式光刻，激光直寫光刻，無衍射極限的光學光刻等。盡管這些技術的產率、分辨率和工藝控制能力普遍低于DUV和EUV光刻，但是它們仍然廣泛應用于微納制造領域。本文簡單介紹一下激光直寫光刻技術。
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